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Dawon Kahng
MOSFET
US Patent No. 3,102,230
Inducted in 2009
Born
4、1931
Died
13, 1992
Dawon Kahng was an inventor Ofthe first practical field-effect transistor
{
device that controls electronic signals by switching them on or off or
May
May
韓国が生んだ世界的な半導体物理学者のカン・デウォン博士は1931年5月4日、ソウルで生まれました。彼は1955年にソウル大学物理学科を卒業し、米国オハイオ州立大学電子工学科で1956年に修士、1959年に博士学位を取得しました。
その後、カン・デウォン博士は当時世界最高の研究所であるBell Telephone Laboratories(現在、AT&T Bell Laboratories)に入社し、1960年にトランジスタ・モスペット(MOS-FET)を開発しました。モスペットは世界初の半導体であるBJT(Bipolar Junction Transistor)とは異なり、半導体を高集積・量産が可能な構造で、今日インテルのCPUやSKハイニックス、サムスン電子のDRAMなどの基礎要素として活用されています。
また、モスペットは過去の真空管とトランジスタに代表される初期電子回路時代を超えてIC時代(集積回路)に発展するのに最も基礎的かつ画期的な発明品として認められており、現在商用化されているすべてのデジタル電子回路の基盤となっています。 。 2009年、その功労を認められたカン・デウォン博士はトーマス・エジソンをはじめ、ライト兄弟、ノーベルなどが名を連ねた米国商務省傘下特許庁の「発明家名誉の殿堂(National Inventors Hall of Fame)」に並んで名前を上げることになりました。
また、カン・デウォン博士は相対性理論のアルバート・アインシュタイン、量子宇宙論のスティーブン・ホーキングなどが受賞したフランクリン研究所で物理分野に授与する「スチュワート・バランタインメダル」を1975年に受賞し、1986年にはオハイオ州立大学工業大学「賞(Distinguishe Alumni Awards)」を受賞するなど、アメリカ科学界の注目を一身に受けました。 180年余りの間、フランクリンメダルの受賞者2000人余りのうち105人が107個のノーベル賞を受けたという点だけを見ても、フランクリン研究所の賞はカン・デウォン博士の研究成果がどれほど意味があるのかを見分けることができるでしょう。
韓国人としては初めて国際電気電子技術者協会(IEEE)とBell Telephone LaboratoriesのFellowだったカン・デウォン博士はNANDフラッシュのフローティングゲート(Floating Gate)メモリセル、EL(電界発光)分野で重要な貢献をしており、35以上の論文本の著者や共著者として活動しただけでなく、22の米国特許を持っています。
1988年、Bell Telephone Laboratoriesから引退した後、カン・デウォン博士は、コンピュータとコミュニケーション技術の長期的な基礎研究を行うために設立された米国NEC研究所の創立社長に就任しました。しかし、1992年5月、学術大会を終えてニュージャージーに戻った途中に大動脈瘤破裂で空港で倒れて手術中の後遺症で、今年の61歳を日記で他界しました。遺族には夫人カン・ヨンヒさんと5人の子供がいました。
半導体産業のパラダイムを変えた方